通过溶剂热法制备ce掺杂的ti o_2，利用等体积浸渍法制得一系列v_2o_5/ce-tio_2催化剂，并用于选择性氧化制二(dmm)。采用xrd、uv-vis、h_2-tpr、nh3-tpd等技术手段对催化剂进行了表征。结果表明，生产---，ce掺杂改性后的tio_2负载v_2o_5更有利于催化剂表面钒氧物种的分散，且钒氧物种主要以孤立的和聚合态的形式存在，没有形成v_2o_5晶相结构。ce掺杂改性后，改变了tio_2载体与钒氧物种间的作用力，ce掺杂量越大，---生产厂家，钒氧物种的还原温度逐渐向高温移动，使得催化剂的氧化还原能力减弱。ce改性的tio_2负载v_2o_5，---报价，ce的改性量对催化剂的酸性质几乎没有影响，但是催化剂的酸性却随着v_2o_5负载量的增大而逐渐减弱。当ce和ti的摩尔比为0.01，v_2o_5的负载量为10%所得催化剂10v/1ce-tio_2具有较为适宜的氧化还原性和酸性，在反应温度160℃时，的转化率为39.6%，dmm的选择性---99.9%。
介绍了粉末压片-x-射线荧光光谱法测定---中v2o5，si，p，fe，k2o，na2o，s含量的分析方法。根据---样品中主次成分含量范围，用高纯试剂配制出具有成分含量梯度的并经其他方法定值的校准样品绘制校准曲线；以仪器提供的基体校正方法消除吸收与增应影响，用本文提出的“干扰增量法”测量与计算出重叠校正系数k，输入仪器自动校正，同---估出干扰元素一定含量影响分析元素的净增含量。该方法与其他方法测定样品结果之间具有---的一致性，同一试样的11次制片测定，各成分结果的相对标准偏差在0．073％-7．35％范围内。
采用反应蒸发制备ｖ２ｏ５ 薄膜，用ｘ射线衍射分析和分光光度计分别测量薄膜晶体结构和光谱特性，---，利用标准三电极法从锂离子电解质溶液中向ｖ２ｏ５ 薄膜注入锂离子。实验结果表明：刚制备的薄膜为非晶结构，热处理使得膜结晶；ｖ２ｏ５ 薄膜呈较强的阳极电致变色和较弱的阴极电致变色双重效应；薄膜晶体结构影响致色效率和响应速度。对实验结果进行了分析，提出并验证了---ｖ２ｏ５ 薄膜致色时光学性能的方法。
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