发展了基于---(v_2o_5)和(h_2o_2)的新型类fenton体系，探索了此体系产生---(·oh)的机制及降解---二---二---(dep)的效率;并考察了v_2o_5投加量、h_2o_2浓度，以及草酸对dep降解的影响。结果表明，当v_2o_5投加量为0.1 g·l-1，h_2o_2浓度为2.0 mmol·l-1，反应24 h后，对dep(25 mg·l-1)的降解率可达61.1%，增加或降低v_2o_5投加量和h_2o_2浓度均不利于dep的降解。利用电子顺磁共振技术(electron para---ic resonance，epr)耦合5，5-二-1----啉氮氧化物(dmpo)为捕获剂对反应体系中的---自由基进行鉴定，发现·oh是体系降解dep的主要活性物种，利用------作为探针分子实现了·oh的间接定量，并初步推测了v_2o_5活化h_2o_2的过程。
本文采用分散直接插层法使聚--- (ppy)嵌入--- (v2 o5)凝胶层间。并通过x射线衍射 (xrd)、红外光谱 (fi ir)和多点氮气吸附法 (bet/n2 )等测试手段对其进行分析 ，证明了ppy确实进入了--- (v2 o5)干凝胶的层间 ，为不溶性导电高聚物的插层提供了一条新的途径。分别以金属mo粉为钼源、v2o5为钒源和以moo3为钼源、nh4vo3为钒源，高纯---，通过低温水热法合成了不同形貌的钼掺杂v2o5纳米结构。用x-射线衍射（xrd）、扫描电子显微镜（sem）和能谱（eds）对产物进行表征。结果表明，反应产物均为正交v2o5纳米带，且纳米带的尺寸均匀，宽度100～400 nm，厚度10～40 nm，长度可达到几十微米。研究还发现它们的掺杂量是不同的，分别为3%和2.1%。
铜掺杂---的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的cu0.04v2o5材料.扫描电镜显示，---厂家，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有---的结晶度.x射线研究表明，鄂州---，少量铜掺杂不会改变v2o5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，---催化剂，300℃时制备的cu0.04v2o5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂------了v2o5的结构稳定性，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在c/5.6倍率下具有160mah·g-1的可逆比容量，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在c/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在c/1.9倍率时仍具有100mah·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时---的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.
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