用工业v2 o5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备v2 o5溶胶和凝胶 ，并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体v2 o5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ，以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (sem)研究了薄膜的微观形貌 ，用xrd研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;v2 o5薄膜由针状v2 o5颗粒组成 ，在衬底上呈均匀分布 ，且结构比较密集 ，其颗粒径向尺寸为 0 .5～ 1.0 μm ，长度方向为 3 0～ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ，同时新生成了一些钒化合物。
以尿素沉钒制备高纯---，考察了沉钒时间、沉钒温度、加铵系数对沉钒过程的影响。结果表明，延长沉钒时间、提高沉钒温度、增大加铵系数，---，均能有效提高沉钒率和产品纯度。在沉钒时间6h、沉钒温度98℃、加铵系数6.67时，沉钒率达到93.57%，纯度达到99.57%以上(---沉钒产品纯度仅为95.42%)，且满足冶金行业标准。与---沉钒产物对比，---催化剂，尿素沉钒产物结晶度更高，形貌更完整均一。
废触媒含有大量油渍，粘稠、不易进行分析样品的制备和测定。选用酒精燃烧除油法除去样品中油渍使其成为松散样品，选择样品前处理的佳温度为500～600℃，对两种测定---方法即直接测定法和两步测定法进行了比较。结果表明，直接测定法测定废触媒中---含量，生产---，不需要进行烧失量校正，简化了分析步骤，相对标准偏差为0．18％～0．60％，回收率在98．4％～103．4％之间。分别进行不同实验室之间及icp—aes法测定结果比较，结果吻合较好，该方法具有较好的适用性和可操作性。
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