本文采用碳热法还原v2o5制备钒的氧化物vo2。用xrd分析生成物的相结构,用dsc/tga的分析结果推测反应历程。结果表明:反应经历了674°c-710°c期间生成v6o13和710°c以上完全形成vo2的过程。将vo2与las玻璃复合烧结成陶瓷,对其进行阻温测试,---价格,结果表明:在室温至100°c间复合陶瓷电阻急骤下降,这是由vo2的半导体-金属相变效应引起的。
为研究不同价态的v_2o_5(v_6o_(15)及v_6o_(15)^+)吸附h_2o和nh_3的反应机理,宣城---,应用化学得到反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,对比分析反应过程中优化结构的势能、反应能垒、键长和吸附能等数据.结果表明:v_6o_(15)和v_6o_(15)^+均可吸附h_2o生成v—oh,---生产厂家,但是对于后者整个反应表现为放热,而且反应能垒---,---厂家,说明v_6o_(15)^+更容易与h2o反应生成brфnsted酸位;nh_3在v_6o_(15)^+上的吸附能,更容易形成可与no反应的—nh4^+;在scr脱硝反应中阳离子团簇v_6o_(15)^+比中性团簇v_6o_(15)活性.
本文采用分散直接插层法使聚--- (ppy)嵌入--- (v2 o5)凝胶层间。并通过x射线衍射 (xrd)、红外光谱 (fi ir)和多点氮气吸附法 (bet/n2 )等测试手段对其进行分析 ,证明了ppy确实进入了--- (v2 o5)干凝胶的层间 ,为不溶性导电高聚物的插层提供了一条新的途径。分别以金属mo粉为钼源、v2o5为钒源和以moo3为钼源、nh4vo3为钒源,通过低温水热法合成了不同形貌的钼掺杂v2o5纳米结构。用x-射线衍射(xrd)、扫描电子显微镜(sem)和能谱(eds)对产物进行表征。结果表明,反应产物均为正交v2o5纳米带,且纳米带的尺寸均匀,宽度100~400 nm,厚度10~40 nm,长度可达到几十微米。研究还发现它们的掺杂量是不同的,分别为3%和2.1%。
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